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四氟化碳的用途与作用 :
四氟化碳是可作为氟和自由基氟化碳的来源,用于各种晶片蚀刻工艺。四氟化碳和氧结合用以蚀刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。四氟化碳在通常环境下是相对惰性的,在不通风的地方会引起窒息。在射频等离子体环境中,氟自由基表现为典型的三氟化碳或二氟化碳的形式。高纯度的四氟化碳能很好的控制加工过程,使尺寸和形状得到更好的控制,这不同于其他的卤烃遇到空气或氧气时不利于各种特殊的控制(如半导体各项异性控制)。
四氟化碳是可作为氟和自由基氟化碳的来源,用于各种晶片蚀刻工艺。四氟化碳和氧结合用以蚀刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。四氟化碳也一样,比如我们公司生产的钢瓶装四氟化碳在14MPA的气压下也是液态的,在正常大气压下就是气态的,四氟化碳是有一定毒性的应该不能用作呼吸。产品经除尘,碱洗除去HF、CoF2、SiF4、CO2等杂质、再经脱水可获得含量约为85%的粗品。将粗品引入低温精馏釜中进行间歇粗馏,通过控制精馏温度,除去O2、N2、H2,得到高纯CF4。
由碳与氟反应,或一氧1化碳与氟反应,或碳化硅与氟反应,或氟石与石油焦在电炉里反应,或二氟二氯甲1烷与氟化1氢反应,或四氯1化碳与氟化银反应,或四氯1化碳与氟化1氢反应,都能生成四氟化碳。将其通过装有氢1氧化钠溶液的洗气瓶除去四氟1化硅,随后通过硅胶和五氧1化二磷干燥塔得到终产品。由于化学稳定性极强,CF4还可以用于金属冶炼和塑料行业等。以活性炭与氟为原料经氟化反应制备。在装有活性炭的反应炉中,缓缓通入高浓氟气,并通过加热器加热、供氟速率和反应炉冷却控制反应温度。
四氟化碳的溶氧性很好,因此被科学家用于超深度潜水实验代替普通压缩空气。目前已在老鼠身上获得成功,在275米到366米的深度内,小白鼠仍可安全脱险。随着芯片制程向7纳米迈进,细微杂质对芯片的损害更为明显,电子产业对高纯电子气体的纯度要求进一步提高,在此背景下,我国高纯四氟化碳生产技术与产品质量仍有提升空间。是微电子工业中用量大的等离子蚀刻气体,高纯气高纯氧的混合气,可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨等薄膜材料的蚀刻,在电子器件表面清洗、太阳能电池生产、激光技术、低温制冷、泄漏检验、印刷电路生产中的去污剂等方面也大量使用。
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